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能源電力

LED未來3年將重點切入室內(nèi)照明

全球經(jīng)濟不景氣，LED產(chǎn)業(yè)卻逆勢成長。未來三～五年，LED以切入室內(nèi)照明市場為重要起跑點，其中，LED應(yīng)用將持續(xù)擴及重點照明、中大尺寸顯示器背光等。

2009-02-27

LED 照明背光室內(nèi)照明 LED路燈

陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(六)

本編文章中，陶老師論述了電磁感應(yīng)產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾的原理和解決方法；輻射干擾的產(chǎn)生原理和解決方法。

2009-02-26

電磁感應(yīng) 傳導(dǎo) 電磁干擾開關(guān)電源

日立展出1.9mm見方的LSI集成型壓力傳感器

日立制作所展出了芯片尺寸為1.9mm見方的LSI集成型壓力傳感器。是利用LSI制造工藝把壓力傳感器制造到LSI上形成的，與該公司此前發(fā)布的3.4mm見方的試制品相比，體積大幅縮小。

2009-02-26

壓力傳感器 LSI集成型壓力傳感器

MEMS振蕩器與傳統(tǒng)石英晶振的比較優(yōu)勢

本文重點介紹了MEMES振蕩器與傳統(tǒng)石英振蕩器的比較優(yōu)勢。

2009-02-25

MEMS振蕩器石英晶振精度 Sitime 供貨周期頻率抖動擴頻

STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

意法半導(dǎo)體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IG...

2009-02-25

MOSFET 太陽能電池功率調(diào)節(jié)器 IGBT ST STY112N65M5 STW77N65M5

08年光伏設(shè)備銷售額超44億美元

市場調(diào)研機構(gòu)VLSI Research日前發(fā)布報告，2008年光伏電池和組件制造設(shè)備市場（包括薄膜電池設(shè)備）銷售額達(dá)到了44億美元，太陽能產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展并不斷增加新的產(chǎn)能。由于各種薄膜技術(shù)的興起并在2008年第一次進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，設(shè)備市場獲得了迅速成長，促使設(shè)備供應(yīng)商也創(chuàng)造了新的收入記錄。

2009-02-25

光伏電池太陽能薄膜電池