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如何提高汽車引擎控制單元的測試速度
汽車電力系統(tǒng)的不當(dāng)調(diào)節(jié)，會導(dǎo)致經(jīng)常發(fā)生電壓驟降和過擊的現(xiàn)象。在正常的情況下，電壓的范圍會介于11 到15 伏特之間，而在暫態(tài)開始和執(zhí)行的情況下，則會介于8 到24 伏特之間。因此，在測試引擎控制單元（ECU）時(shí)必須執(zhí)行電壓邊限測試，以驗(yàn)證在極端的偏壓電壓情況下能否正常操作，以及容許度有多大。
2012-03-29
汽車 引擎控制單元 測試速度
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇要點(diǎn)
同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)?？刂破魃a(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同，要根據(jù)實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。
2012-03-29
DC/DC MOSFET 降壓式
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650V:飛兆半導(dǎo)體IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
2012-03-29
650V 飛兆半導(dǎo)體 IGBT
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MIC28510：麥瑞半導(dǎo)體推出高功效寬輸入開關(guān)穩(wěn)壓器集成電路
模擬、高帶寬通信及以太網(wǎng)集成電路(IC)解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體 (Micrel Inc.)（納斯達(dá)克股票代碼：MCRL）日前發(fā)布了MIC28510寬輸入同步開關(guān)穩(wěn)壓器積成電路，該集成電路可以提供峰值轉(zhuǎn)換效率超過94%的降壓轉(zhuǎn)換，最大輸入電壓為75V，最大輸出電流為4A。該解決方案使電源應(yīng)用無需采用高成...
2012-03-29
MIC28510 麥瑞半導(dǎo)體 開關(guān)穩(wěn)壓器 集成電路
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PIC16F(LF)178X：Microchip推出模擬和數(shù)字外設(shè)8位單片機(jī)
全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）在美國圣何塞市舉行的DESIGN West大會上宣布，擴(kuò)展其8位PIC16F(LF)178X增強(qiáng)型中檔內(nèi)核單片機(jī)（MCU）系列，將多種先進(jìn)模擬和集成通信外設(shè)融入其中，如片上12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）、8位數(shù)模...
2012-03-29
PIC16F(LF)178X Microchip 單片機(jī)
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AUIR3240S：IR推出高集成升壓轉(zhuǎn)換器減油耗達(dá)15%
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用AUIR3240S電池電源開關(guān)，適用于內(nèi)燃機(jī)關(guān)閉和重啟功能 (啟停系統(tǒng)) ，可以幫助減少高達(dá)15%的車輛油耗。
2012-03-29
AUIR3240S IR 升壓轉(zhuǎn)換器
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淺談閉合電路中的功率和電源效率
電源的功率：是描述閉合電路中電源把其它形式的能轉(zhuǎn)化為電能快慢的物理量。它在數(shù)量上等于總電流I與電源電動勢E的乘積，即P=IE
2012-03-29
閉合電路 功率 電源效率 純電阻電路
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SESDX：TE電路保護(hù)部推出硅靜電放電保護(hù)器件
TE Connectivity旗下的一個(gè)業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-03-29
SESDX TE 電路保護(hù) 硅靜電放電
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半導(dǎo)體市況觸底 過剩庫存或成優(yōu)勢
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新統(tǒng)計(jì)，去年第4季全球晶片供應(yīng)商庫存天數(shù)（DOI）意外攀升3.4％，來到84.1天，創(chuàng)下11年來新高紀(jì)錄。乍看，庫存天數(shù)拉高可能不利于產(chǎn)業(yè)發(fā)展，不過IHSiSuppli半導(dǎo)體分析師SharonStiefel表示，半導(dǎo)體廠的訂單出貨比已接近1，顯示市場需求逐步轉(zhuǎn)強(qiáng)，若需求成長幅度優(yōu)于預(yù)期，則...
2012-03-28
半導(dǎo)體 晶圓 DOI
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