【導讀】在半導體存儲領域，NOR Flash雖不如DRAM或NAND Flash廣為人知，卻憑借其“芯片內執(zhí)行”（XIP）、高可靠性、快速啟動和長數(shù)據(jù)保留等獨特優(yōu)勢，在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI終端及AI服務器等關鍵場景中扮演著不可替代的角色。從上世紀80年代誕生至今，NOR Flash已從功能機固件存儲走向智能時代的高性能剛需元件。尤其在AI與自動駕駛浪潮推動下，其市場需求激增、價格上揚，并催生本土MCU企業(yè)加速布局“MCU+存儲”生態(tài)。與此同時，3D NOR Flash技術的突破更將存儲密度與性能推向新高度，為行業(yè)打開全新成長空間。

01什么是NOR Flash？

NOR Flash的發(fā)展始于上世紀80年代，1988年相關技術率先由東芝的富士雄研發(fā)，后經(jīng)Intel推動產(chǎn)業(yè)化，徹底打破了此前EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory，電可編程序只讀存儲器）和EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory，電可擦只讀存儲器）一統(tǒng)只讀存儲器市場的格局。緊隨其后的1989年，東芝推出NAND Flash，二者形成鮮明互補：NOR側重代碼存儲，而NAND Flash以高存儲密度、低成本為優(yōu)勢，主導大容量數(shù)據(jù)存儲。

NOR Flash的特點是采用并行尋址結構，芯片內執(zhí)行（XIP，eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在閃存內運行，無需加載至系統(tǒng)RAM，且具備長數(shù)據(jù)保留時間、耐熱、低功耗、擦寫壽命長（約10萬次）等特性。盡管其存儲密度低、單位容量成本高，寫入與擦除速度較慢，但在小容量、高可靠性、快速響應的場景中具有不可替代性，早期主要應用于功能機等設備的固件存儲，如今已逐步拓展至更廣泛的專業(yè)領域。

而NAND 由于具備極高的存儲單元密度，可實現(xiàn)高存儲密度，且寫入、擦除速度表現(xiàn)優(yōu)異；其落地應用的的困難在于需要配套專用的系統(tǒng)接口完成閃存的高效管理。讀寫性能上，NOR 的讀取速度略優(yōu)于 NAND，而 NAND 的寫入速度則遠勝 NOR。

 02多領域需求驅動NOR Flash量價齊升

隨著物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，NOR Flash的應用場景持續(xù)拓寬，市場需求迎來爆發(fā)式增長，推動其從細分領域走向規(guī)?；瘧?。

在物聯(lián)網(wǎng)與AIoT領域，MCU（微控制器）的應用也越來越廣。早期MCU通過內置EEPROM或外置小容量NOR Flash即可滿足需求，但隨著智能設備功能不斷豐富，系統(tǒng)升級、音頻存儲、GUI圖片顯示、視頻緩存、協(xié)議棧等需求催生了更大容量的存儲需求，MCU配套的NOR Flash也逐步向更高容量升級。

人工智能趨勢下，端側AI需求爆發(fā)進一步放大了這一趨勢，AI耳機、智能手環(huán)、AR/VR設備、智能音箱、具身智能機器人、AI玩具等終端產(chǎn)品，對存儲的快速響應能力和可靠性要求極高，且多數(shù)場景無需大容量存儲，恰好契合NOR Flash的技術優(yōu)勢。比如，TWS耳機（內置1顆NOR以存儲系統(tǒng)代碼）、智能手表/手環(huán)（內置/外置1顆NOR）、AR/VR（通常配置1顆NOR）等可穿戴設備市場快速發(fā)展，帶來巨大的NOR Flash潛在需求量。

汽車電子領域的增長同樣迅猛。數(shù)字座艙、自動駕駛（ADAS）的快速發(fā)展，推動車載存儲需求持續(xù)攀升。NOR Flash的即時啟動（instant-on）特性，使其成為汽車儀表板的理想選擇。相較于NAND Flash，其長數(shù)據(jù)保留、耐熱、快速啟動代碼的優(yōu)勢，完美匹配車載場景的嚴苛要求。

而整個ADAS系統(tǒng)對NOR Flash的需求則更大。由于ADAS功能的復雜化正在推動智能傳感器的普及，如前置攝像頭、成像雷達，甚至激光雷達，因此需要大量高密度NOR Flash。特別是進入自動駕駛時代之后，每顆攝像頭、雷達均需要一顆存儲芯片與其配套使用，攝像頭和雷達會將所感知到的路面信息寫入存儲芯片中，并通過專有算法對寫入的數(shù)據(jù)進行運算、分析，快速做出緊急避讓、制動等操作，這一需求只有NOR Flash能夠勝任。

AI服務器的爆發(fā)式增長，成為NOR Flash需求的“超級引擎”。HBM4（高帶寬內存）技術架構的革新，使得DRAM堆疊層數(shù)從HBM3的12層躍升至16-20層，其物理結構與電源管理邏輯更為復雜。NOR Flash承擔著AI服務器系統(tǒng)初始化、安全啟動和固件存儲的核心功能，能夠滿足HBM4每層DRAM獨立電源管理與初始化的需求。隨著AI服務器從HBM3E向HBM4升級，單臺設備的NOR Flash用量從1-2顆增至3-5顆，行業(yè)數(shù)據(jù)顯示用量增幅達50%。在AI訓練集群中，系統(tǒng)需頻繁、可靠地調用底層指令，NOR Flash的低延遲、高可靠性使其成為不可替代的部件。

需求的持續(xù)火爆也引發(fā)了漲價潮。中微半導1月27日發(fā)布漲價通知函稱，受當前全行業(yè)芯片供應緊張、成本上升等因素的影響，封裝成品交付周期變長，成本較此前大幅度增加，框架、封測費用等成本也持續(xù)上漲。鑒于當前嚴峻的供需形勢以及巨大的成本壓力，經(jīng)過慎重研究，決定于即日起對MCU、Nor flash等產(chǎn)品進行價格調整，漲價幅度15%~50%。

03本土MCU企業(yè)布局NOR Flash的戰(zhàn)略邏輯

日前，國內MCU龍頭中微半導正式官宣首款非易失性存儲器芯片CMS25Q40A，以4M bit低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品敲開存儲領域大門，開啟“MCU+存儲”布局。

MCU與NOR Flash是天然“黃金搭檔”。絕大多數(shù)搭載MCU的嵌入式設備，都需要外掛NOR Flash存儲程序。這一天然協(xié)同性，也推動了本土MCU企業(yè)紛紛切入NOR Flash領域，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要趨勢。

NOR Flash與MCU在半導體設計及制造工藝層面具備天然共通性，二者同屬嵌入式系統(tǒng)核心芯片，均需攻克低功耗設計、高可靠性保障、嵌入式存儲優(yōu)化等關鍵技術。企業(yè)依托在NOR Flash領域沉淀的工藝經(jīng)驗、IP資源儲備及客戶渠道優(yōu)勢，可高效推進MCU產(chǎn)品研發(fā)，落地“存儲+控制”平臺化戰(zhàn)略，顯著降低研發(fā)成本與市場風險。這一戰(zhàn)略已得到多家企業(yè)實踐驗證：兆易創(chuàng)新、恒爍股份均明確將自身定位為“存儲+控制”領域服務商，借助NOR Flash的渠道協(xié)同效應拓展MCU業(yè)務；普冉則推行“存儲”與“存儲+”雙輪驅動戰(zhàn)略，一方面持續(xù)完善原有存儲產(chǎn)品線的全系列布局，強化工藝性能領先優(yōu)勢，聚焦中高端工控、車載客戶拓展及新增領域增量機會，為市占率提升筑牢產(chǎn)品根基；另一方面，“存儲+”板塊下的MCU與VCM Driver產(chǎn)品快速打響品牌知名度，實現(xiàn)業(yè)務持續(xù)高速增長。

本土MCU企業(yè)布局NOR Flash有三大原因：

一是完善產(chǎn)品生態(tài)，強化客戶粘性。MCU作為智能設備的核心控制芯片，通常需外掛存儲芯片存儲程序代碼、配置參數(shù)等關鍵數(shù)據(jù)。若MCU企業(yè)實現(xiàn)NOR Flash自主供給，可構建“MCU+Flash”一站式解決方案，不僅能有效降低客戶采購成本及供應鏈管理難度，更能通過產(chǎn)品協(xié)同綁定客戶需求，顯著增強客戶粘性。

二是拓展業(yè)務邊界，挖掘新增量。盡管NOR Flash市場規(guī)模不及DRAM、NAND Flash，但在汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設備等領域具備不可替代性，尤其適配小容量、低功耗應用場景。MCU企業(yè)可憑借既有的客戶資源與技術積累切入該領域，突破原有業(yè)務邊界，挖掘細分市場新增長點。

三是把握國產(chǎn)化機遇，搶占細分市場。全球NOR Flash市場長期由華邦、旺宏等國際廠商主導，近年來國產(chǎn)企業(yè)市場份額逐步提升，國產(chǎn)替代趨勢顯著。MCU企業(yè)可順勢而為，以中小容量產(chǎn)品為切入點，避開與頭部廠商在高密度、車規(guī)級產(chǎn)品上的直接競爭，精準搶占細分市場份額。

當然，新進入者也面臨不小挑戰(zhàn)：NOR Flash市場已形成兆易創(chuàng)新、普冉股份等頭部企業(yè)，新玩家需在性能、成本、可靠性上實現(xiàn)突破；產(chǎn)品系列化需持續(xù)投入大量研發(fā)資源，可能影響MCU傳統(tǒng)業(yè)務的迭代速度；同時，市場受產(chǎn)能、需求波動影響較大，價格起伏可能沖擊企業(yè)盈利能力。

不難看出，MCU企業(yè)布局NOR Flash，是依托技術協(xié)同、把握國產(chǎn)化機遇的戰(zhàn)略選擇，已成為近年來半導體行業(yè)的重要發(fā)展趨勢，同時也需應對市場競爭與資源分配等多重挑戰(zhàn)。

 04、3D NOR閃存：非易失性存儲革命

為了適應人工智能、智能汽車等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，HBM、HBF、HBS等各類堆疊方案層出不窮。而在NOR Flash領域，這些應用也對更高密度、更快訪問速度和更高可靠性的閃存提出更高要求。傳統(tǒng)2D NORFlash已近接物理和性能極限，其平面架構限制了其可擴展性。

3D NOR Flash通過垂直堆疊存儲單元，徹底解決了2D架構的可擴展性難題。以旺宏電子（Macronix）的產(chǎn)品線為例，2D NOR Flash單裸片最大容量僅為512Mb，若需更高密度需采用多裸片系統(tǒng)級封裝（SiP）；而3D NOR Flash單裸片容量可達到4Gb，存儲密度實現(xiàn)跨越式提升。這一特性使其成為有限物理空間內需要大量非易失性存儲場景的理想選擇，能夠減少終端設備對eMMC和NAND等多存儲器件的依賴。

除了存儲密度的提升，3D NOR Flash還具備更短的訪問延遲，顯著優(yōu)化了設備啟動性能，這對于汽車儀表板、AI服務器等需要近乎即時訪問存儲數(shù)據(jù)的應用至關重要。隨著3D NOR技術的成熟與量產(chǎn)，其將進一步滿足汽車電子、AI服務器等高端場景的高性能需求。

從技術迭代到需求爆發(fā)，從本土突圍到產(chǎn)業(yè)升級，NOR Flash在多領域剛需的推動下，成為半導體產(chǎn)業(yè)中極具增長潛力的黃金賽道。未來，隨著3D NOR等技術的持續(xù)突破，以及國產(chǎn)化進程的加速，NOR Flash市場將迎來更為廣闊的發(fā)展空間。

總結

本土企業(yè)通過“MCU+Flash”協(xié)同戰(zhàn)略，不僅強化了產(chǎn)品生態(tài)與客戶粘性，更在高端細分市場中搶占先機。隨著3D NOR等前沿技術走向成熟，NOR Flash有望突破傳統(tǒng)容量與成本瓶頸，在高可靠、低延遲、小容量存儲賽道中持續(xù)領跑，成為支撐智能時代底層基礎設施的關鍵一環(huán)。