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11萬(wàn)+人次！5000+海外買(mǎi)家！2025 AGIC+IOTE深圳物聯(lián)網(wǎng)展圓滿(mǎn)收官，2026再聚
8月29日晚，深圳會(huì)展中心（寶安新館）的燈牌逐漸熄滅，為期三天的2025 AGIC+IOTE第24屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展?深圳站正式落下帷幕。場(chǎng)館內(nèi)還殘留著展商收拾展位的忙碌身影，而門(mén)口的電子屏上，“112,368人次入場(chǎng)”“5,178名海外買(mǎi)家”的數(shù)字依然閃爍——這些數(shù)據(jù)，不僅是這場(chǎng)AIoT盛宴的“流量注腳”，更印證了全球?qū)Α叭斯ぶ悄?物聯(lián)網(wǎng)”技術(shù)的迫切需求。 在AIoT深度融入工業(yè)、消費(fèi)、城市等全場(chǎng)景，全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)入“落地攻堅(jiān)期”的背景下，中國(guó)憑借“產(chǎn)業(yè)規(guī)模（全球物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)份額占比超35%）、場(chǎng)景創(chuàng)新（如智慧工廠(chǎng)、智能座艙等）、生態(tài)構(gòu)建（從芯片到終端的全鏈條配套）”的綜合優(yōu)勢(shì)，已成為全球物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的“核心引領(lǐng)者”。此次展會(huì)，正是這一優(yōu)勢(shì)的集中體現(xiàn)：從海外買(mǎi)家對(duì)中國(guó)智能硬件的“搶購(gòu)式咨詢(xún)”，到展商展示的“AI算法+IoT終端”融合方案，每一個(gè)細(xì)節(jié)都在訴說(shuō)著“萬(wàn)物互聯(lián)”的未來(lái)，已從“概念”走進(jìn)“現(xiàn)實(shí)”。
2025-09-01
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SiC賦能工業(yè)充電器：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)優(yōu)化與元器件選型實(shí)戰(zhàn)指南
隨著工業(yè)新能源體系（如電動(dòng)叉車(chē)、分布式儲(chǔ)能、重型工程機(jī)械）的快速擴(kuò)張，電池充電器的高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高可靠性已成為剛性需求。傳統(tǒng)IGBT器件因開(kāi)關(guān)速度慢、反向恢復(fù)損耗大，難以滿(mǎn)足“小體積、大輸出”的設(shè)計(jì)目標(biāo)——而碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，徹底改變了這一局面。 SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于極致的開(kāi)關(guān)性能：其開(kāi)關(guān)速度可達(dá)IGBT的5-10倍，反向恢復(fù)損耗幾乎為零，同時(shí)能在175℃以上的高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。這些特性不僅能將充電器的功率密度提升40%以上（相同功率下體積縮小1/3），更關(guān)鍵的是，它突破了IGBT對(duì)功率因數(shù)校正（PFC）拓?fù)涞南拗啤热鐖D騰柱PFC、交錯(cuò)并聯(lián)PFC等新型架構(gòu)，原本因IGBT的損耗問(wèn)題無(wú)法落地，如今借助SiC得以實(shí)現(xiàn)，使充電器的整體效率從92%提升至96%以上。 本文將聚焦工業(yè)充電器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)優(yōu)化，結(jié)合SiC器件的特性，拆解“如何通過(guò)拓?fù)溥x型匹配SiC優(yōu)勢(shì)”“元器件（如電容、電感）如何與拓?fù)鋮f(xié)同”等核心問(wèn)題，為工程師提供可落地的設(shè)計(jì)指南。
2025-08-29
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意法半導(dǎo)體2025半年報(bào)亮相：IFRS標(biāo)準(zhǔn)下的全球半導(dǎo)體龍頭中期答卷
2025年8月21日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）通過(guò)公司官網(wǎng)正式披露了截至2025年6月28日的IFRS標(biāo)準(zhǔn)中期財(cái)務(wù)報(bào)告（涵蓋六個(gè)月經(jīng)營(yíng)周期），并同步向荷蘭金融市場(chǎng)管理局（AFM）完成 regulatory filing（監(jiān)管報(bào)備）。作為服務(wù)于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等多領(lǐng)域的半導(dǎo)體巨頭，此次財(cái)報(bào)不僅是其2025年上半年經(jīng)營(yíng)狀況的“數(shù)字快照”，更成為行業(yè)觀察全球半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇趨勢(shì)的重要參考。
2025-08-21
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KiCad膠水層揭秘：SMT紅膠工藝的“隱形固定師”
在KiCad這款開(kāi)源PCB設(shè)計(jì)軟件的圖層列表中，有兩層常常被新手當(dāng)作“無(wú)關(guān)緊要的標(biāo)記層”——F.Adhesive（正面膠水層）和B.Adhesive（背面膠水層）。但對(duì)SMT（表面貼裝技術(shù)）生產(chǎn)線(xiàn)上的工程師來(lái)說(shuō)，這兩層卻是“隱形的固定師”：它們標(biāo)注的位置，直接決定了紅膠如何點(diǎn)涂，進(jìn)而確保SMD（表面貼裝器件）元件在高溫焊接時(shí)不會(huì)移位、脫落。從KiCad的設(shè)計(jì)端到工廠(chǎng)的生產(chǎn)端，這兩層看似簡(jiǎn)單的“膠水層”，其實(shí)串聯(lián)起了SMT紅膠工藝的核心邏輯。
2025-08-20
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氮化鎵電源IC U8726AHE：用Boost技術(shù)破解寬電壓供電難題
在手機(jī)快速充電器、筆記本適配器、移動(dòng)電源等消費(fèi)電子設(shè)備中，電源的“穩(wěn)定性”與“效率”直接決定了用戶(hù)體驗(yàn)——比如，一款能支持5V/2A、9V/2A、12V/1.5A等多規(guī)格輸出的快速充電器，需要電源IC在寬電壓范圍內(nèi)保持穩(wěn)定供電，同時(shí)不能因?yàn)轭~外電路增加體積或成本。然而，傳統(tǒng)電源方案在應(yīng)對(duì)這一需求時(shí)，往往陷入“兩難”：要么依賴(lài)輔助繞組（增加變壓器體積），要么外接穩(wěn)壓電路（提高功耗），導(dǎo)致產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力下降。針對(duì)這一痛點(diǎn)，一款集成高壓E-GaN（增強(qiáng)型氮化鎵） 與Boost供電技術(shù)的電源IC——U8726AHE應(yīng)運(yùn)而生，它像一把“鑰匙”，打開(kāi)了消費(fèi)電子電源“寬電壓、高效率、小體積”的新局面。
2025-08-20
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Nordic nRF5 SDK與Softdevice深度解析：開(kāi)發(fā)BLE應(yīng)用的底層邏輯與避坑指南
在BLE（藍(lán)牙低功耗）應(yīng)用開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，Nordic的nRF5系列芯片（如nRF51、nRF52）因其低功耗、高集成度的特性，成為開(kāi)發(fā)者的首選。而支撐這些芯片運(yùn)行的“底層基石”，正是nRF5 SDK（軟件開(kāi)發(fā)工具包）與Softdevice（藍(lán)牙協(xié)議棧）。然而，很多開(kāi)發(fā)者對(duì)兩者的關(guān)系、版本選擇及目錄結(jié)構(gòu)存在困惑——比如，SDK是“工具”還是“協(xié)議?！?？Softdevice為什么不能隨便升級(jí)？本文將從開(kāi)發(fā)邏輯出發(fā)，深度解析這兩個(gè)工具的核心作用、使用誤區(qū)及最佳實(shí)踐，幫你搭建清晰的BLE開(kāi)發(fā)底層認(rèn)知。
2025-08-20
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工業(yè)充電器能效革命：碳化硅技術(shù)選型與拓?fù)鋬?yōu)化實(shí)戰(zhàn)
隨著800V高壓平臺(tái)在電動(dòng)汽車(chē)與工業(yè)儲(chǔ)能領(lǐng)域加速滲透，傳統(tǒng)硅基功率器件正面臨開(kāi)關(guān)損耗與散熱設(shè)計(jì)的雙重瓶頸。以碳化硅（SiC）MOSFET為代表的新型半導(dǎo)體，憑借10倍于IGBT的開(kāi)關(guān)頻率和85%的能效提升率，正推動(dòng)工業(yè)充電器架構(gòu)向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術(shù)賦能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型策略，揭曉如何在LLC諧振、圖騰柱PFC等創(chuàng)新方案中精準(zhǔn)匹配功率器件參數(shù)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)成本與性能的黃金平衡點(diǎn)。
2025-08-19
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工業(yè)充電器PFC拓?fù)溥M(jìn)化論：SiC如何重塑高效電源設(shè)計(jì)？
在工業(yè)4.0時(shí)代，從便攜式電動(dòng)工具到重型AGV（自動(dòng)導(dǎo)引車(chē)），電池供電設(shè)備正加速滲透制造業(yè)、倉(cāng)儲(chǔ)物流和建筑領(lǐng)域。然而，工業(yè)級(jí)充電器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)重重：既要承受?chē)?yán)苛環(huán)境（如高溫、震動(dòng)、粉塵），又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩(wěn)定，同時(shí)滿(mǎn)足輕量化、無(wú)風(fēng)扇散熱的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正為這一難題提供破局關(guān)鍵——其超快開(kāi)關(guān)速度和低損耗特性，不僅提升了功率密度，更解鎖了傳統(tǒng)IGBT難以實(shí)現(xiàn)的新型PFC（功率因數(shù)校正）拓?fù)?。本文將深入解析工業(yè)充電器的PFC級(jí)設(shè)計(jì)策略，助您精準(zhǔn)選型。
2025-08-18
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電源架構(gòu)設(shè)計(jì)智能化革命：ADI三駕馬車(chē)如何重塑開(kāi)發(fā)范式
在電子系統(tǒng)功耗管理日益復(fù)雜的背景下，電源架構(gòu)設(shè)計(jì)正經(jīng)歷從經(jīng)驗(yàn)驅(qū)動(dòng)到工具賦能的范式轉(zhuǎn)移。全球模擬半導(dǎo)體巨頭ADI公司推出的LT工具鏈（LTspice/LTpowerCAD/LTpowerPlanner），構(gòu)建了覆蓋電路仿真、參數(shù)優(yōu)化到系統(tǒng)規(guī)劃的全流程解決方案。這套工具鏈正在改變工程師設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的基本邏輯，將傳統(tǒng)耗時(shí)數(shù)周的設(shè)計(jì)周期壓縮至小時(shí)級(jí)精度迭代。
2025-08-18
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X-HBM架構(gòu)橫空出世：AI芯片內(nèi)存技術(shù)的革命性突破
在AI算力需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的今天，內(nèi)存帶寬已成為制約大模型發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。NEO Semiconductor最新發(fā)布的X-HBM架構(gòu)，以其32K位總線(xiàn)和單芯片512Gbit容量的驚人規(guī)格，一舉突破傳統(tǒng)HBM技術(shù)的物理限制，為下一代AI芯片提供了高達(dá)16倍帶寬和10倍密度的內(nèi)存解決方案，這標(biāo)志著AI硬件發(fā)展進(jìn)入全新階段。
2025-08-12
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DIC EXPO 2025國(guó)際（上海）顯示技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展盛大開(kāi)幕！
全球顯示產(chǎn)業(yè)界翹首以盼的年度盛會(huì)——DIC EXPO 2025國(guó)際（上海）顯示技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展今日在上海新國(guó)際博覽中心隆重開(kāi)幕！本屆展會(huì)由中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)液晶分會(huì)（CODA）主辦，上海勵(lì)程展覽有限公司承辦，以“AI·顯示 再謀新篇“為主題，匯聚全球顯示產(chǎn)業(yè)精英，共同見(jiàn)證新時(shí)代顯示技術(shù)的創(chuàng)新突破與產(chǎn)業(yè)發(fā)展的嶄新篇章。
2025-08-11
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800V高壓平臺(tái)突圍！安森美碳化硅技術(shù)賦能小米YU7性能躍升
安森美宣布，其基于EliteSiC M3e技術(shù)打造的800V高壓驅(qū)動(dòng)平臺(tái)已應(yīng)用于小米汽車(chē)旗下YU7電動(dòng)SUV部分車(chē)型。該平臺(tái)憑借高性能碳化硅（SiC）技術(shù)，可助力電動(dòng)汽車(chē)制造商優(yōu)化牽引系統(tǒng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更緊湊、輕量化及高可靠性的動(dòng)力解決方案。
2025-08-04
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
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