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慧榮科技榮獲中國(guó)財(cái)經(jīng)峰會(huì)“2017年度最具影響力企業(yè)大獎(jiǎng)”
2017年11月30日，中國(guó)北京——在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達(dá)克交易代碼: SIMO）日前榮獲2017年中國(guó)財(cái)經(jīng)峰會(huì)·冬季論壇組委會(huì)頒發(fā)的“2017年度最具影響力企業(yè)大獎(jiǎng)”，以表彰其多年來(lái)在閃存控制芯片領(lǐng)域所做出的杰出貢獻(xiàn)。頒獎(jiǎng)典禮于今日在北京舉行，慧榮科技市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)暨OEM事業(yè)資深副總段喜亭先生出席典禮。
2017-12-01
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DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭(zhēng)在爭(zhēng)什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。
2017-03-22
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大象關(guān)冰箱？NAND FLASH控制器磨損管理算法芯片化硬實(shí)現(xiàn)
目前，存儲(chǔ)領(lǐng)域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控制器是一個(gè)非常熱門(mén)的領(lǐng)域。通常，由于NAND FLASH易于損壞的特性，因此需要控制器做額外的工作，才能滿(mǎn)足商用可靠存儲(chǔ)的需要。本文目的提出一種可以硬實(shí)現(xiàn)的均衡磨損，壞塊管理，以及邏輯地址映射的算法，（可芯片化）。用于替代處理器的軟件（FTL）實(shí)現(xiàn)，從總體上較CPU固件實(shí)現(xiàn)有較好的功耗比和高速性能的目標(biāo)。
2016-02-25
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揭秘手機(jī)內(nèi)存真相：實(shí)際少于16G為何要標(biāo)稱(chēng)有16G內(nèi)存？
目前市面上的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)分別是NAND FLASH和eMMC這兩種，這就是各類(lèi)移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。這兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱(chēng)值又有什么關(guān)系呢？為什么實(shí)際容量往往會(huì)比標(biāo)示的少呢？
2016-01-19
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用圖來(lái)說(shuō)話(huà)，解答Android設(shè)備處理器最大懸念：內(nèi)核越多性能越強(qiáng)？
日前，來(lái)自Anandtech的多位極客進(jìn)行了一場(chǎng)關(guān)于移動(dòng)芯片核心性能的大規(guī)模測(cè)試，為Android智能手機(jī)是否核心越多性能就越強(qiáng)這一充滿(mǎn)爭(zhēng)議的話(huà)題蓋棺定論。
2015-09-07
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閃存是什么？
閃存是什么？今天我們就一起來(lái)學(xué)習(xí)閃存的知識(shí)。本文主要講解的內(nèi)容有閃存簡(jiǎn)介和閃存的概念和閃存的技術(shù)及特點(diǎn)以及決定NAND型閃存的因素有哪些和閃卡的優(yōu)點(diǎn)這些內(nèi)容。接下來(lái)就為大家講解相關(guān)的知識(shí)。
2013-06-29
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集成電路的發(fā)展
根據(jù)小編所了解早在1830年，科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開(kāi)對(duì)半導(dǎo)體的研究。他們最初的研究對(duì)像是一些在加熱后電阻值會(huì)增加的元素和化合物。這些物質(zhì)有一共同點(diǎn)，當(dāng)它們被光線(xiàn)照射時(shí)，會(huì)容許電流單向通過(guò)，我們可藉此控制電流的方向，稱(chēng)為光電導(dǎo)效應(yīng)。在無(wú)線(xiàn)電接收器中，負(fù)責(zé)偵測(cè)訊息的整流器，就是一種半導(dǎo)體電子儀器的例子。德國(guó)的Ferdinand Braun利用了半導(dǎo)體方鉛礦，一種硫化鉛化合物的整流特性，創(chuàng)制世上第一臺(tái)整流偵測(cè)器，后世俗稱(chēng)為貓胡子的偵測(cè)器。基于半導(dǎo)體的整流特性，我們能在整流偵測(cè)器內(nèi)的金屬接觸面和半導(dǎo)體間建立起一電勢(shì)差，令電子在某一方向流動(dòng)時(shí)為“順流而下”，反之則“逆流而上”。至此，半導(dǎo)體電子儀器起始面世。
2012-12-02
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NOR和NAND比較有何不同
NOR和NAND比較有何不同
2012-11-19
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三大因素促USB 3.0需求明年將明顯增長(zhǎng)
TrendForce預(yù)期NAND Flash合約價(jià)的上漲動(dòng)將持續(xù)至11月份，10月下旬合約價(jià)格仍上漲了7-12%,但11月過(guò)后的價(jià)格走勢(shì)面臨較大的下滑壓力。同時(shí)受三大因?yàn)橛绊慤SB 3.0市場(chǎng)將自明年開(kāi)始加溫。
2012-11-01
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NAND閃存單元結(jié)構(gòu)
NAND閃存單元結(jié)構(gòu)
2012-10-31
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美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過(guò)20%
在NAND閃存市場(chǎng)，三星是絕對(duì)的老大，所占市場(chǎng)份額趨近一半。由于營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距，份額首次突破20%大關(guān)。在第三季，東芝有可能陷入反復(fù)下降的狀態(tài)，而美光第二季度取得的勝利仍有待檢驗(yàn)。
2012-09-21
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蘋(píng)果A6與A7處理器代工將花落誰(shuí)家？
蘋(píng)果三星專(zhuān)利大戰(zhàn)已經(jīng)結(jié)束，但硝煙卻遲遲沒(méi)有散去，除了三星需賠付高額美金外，蘋(píng)果已經(jīng)確定降低各領(lǐng)域采購(gòu)三星零組件比例。在面板、NAND Flash、行動(dòng)式記憶體等領(lǐng)域，三星在蘋(píng)果供應(yīng)鏈比重已呈下降趨勢(shì)，A6與A7可能是蘋(píng)果在行動(dòng)運(yùn)算裝置最后一個(gè)去三星化的關(guān)鍵零組件，它將花落誰(shuí)家呢？
2012-09-10
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