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PI推出業(yè)針對高功率LED燈泡替換的LED驅(qū)動器
世界上效率最高、使用壽命最長的離線式LED驅(qū)動器IC的制造商Power Integrations公司今日宣布推出一款針對高功率LED燈泡替換應用的LED驅(qū)動器參考設計。該驅(qū)動器可為100 W A19白熾燈泡的LED替換燈提供所需的功率，這是業(yè)界首個此類設計。
2012-05-29
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第80屆中國電子展(80th China Electronics Fair )
權威的綜合性專業(yè)電子展。中國電子展始于1964年，是中國歷史最悠久、最權威的電子行業(yè)展會。中國電子展以領先的基礎電子技術，促進中國電子產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新，與中國電子產(chǎn)業(yè)共同成長。
2012-05-29
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FCI CompactPCI串行標準連接器
極大提高醫(yī)用電子和工業(yè)電子性能由于需要處理的實時數(shù)據(jù)越來越多，許多嵌入式設計師從并行結構轉向串行點對點結構。 CompactPCI?串行標準于2011年由PICMG推出后，目前正成為串行嵌入式計算的主要標準。
2012-05-25
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X-fest 研討會將于 7 月登陸亞洲
安富利公司旗下安富利電子元件亞洲 (Avnet Electronics Marketing Asia)與賽靈思公司今天宣布啟動亞洲區(qū)X-fest 研討會注冊。X-fest 是深受 FPGA、DSP 和嵌入式系統(tǒng)開發(fā)人員歡迎的、為期一天的培訓活動。X-fest將在亞洲 16 個城市舉行。
2012-05-24
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英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，新產(chǎn)品的主要用途為光伏發(fā)電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現(xiàn)有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現(xiàn)裝置的小型輕量化。這是因為新產(chǎn)品可實現(xiàn)高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關損失。因此，電感器及電容器等被動元件可使用小型產(chǎn)品，所以能夠?qū)崿F(xiàn)整個裝置的小型輕量化。
2012-05-24
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Infineon功率芯片在智能車燈控制系統(tǒng)中的應用
現(xiàn)今MCU和電力電子技術在智能車燈控制系統(tǒng)中發(fā)展的趨勢是用智能功率IC替代傳統(tǒng)的繼電器和保險絲，有效實現(xiàn)對車燈的過熱、過壓、短路等故障的保護和診斷；MCU用PWM調(diào)制來實現(xiàn)對車燈兩端的電壓進行控制，以達到限制車燈電流，延長使用壽命的目的。本文介紹了Infineon高端開關應用于智能車燈控制系統(tǒng)中的應用經(jīng)驗，與傳統(tǒng)技術進行了對比，結合實例具體分析了其實現(xiàn)的智能診斷技術在實際產(chǎn)品應用中的技術優(yōu)勢和發(fā)展前景。
2012-05-24
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英飛凌針對汽車開發(fā)的AURIX單片機含有3顆32位TriCore內(nèi)核
英飛凌近日宣布推出滿足汽車行業(yè)的動力總成和安全應用的各種要求的全新32位多核單片機系列。全新的AURIX系列的多核架構包含多達三顆獨立32位TriCore 處理內(nèi)核，可滿足業(yè)界的最高安全標準。此外，采用90納米工藝制造的TC1798，相比于現(xiàn)有的一流器件，其性能提升一倍。
2012-05-22
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羅姆開發(fā)出業(yè)內(nèi)最小的車載絕緣元件內(nèi)置型半導體
隨著電動汽車、混合動力車的普及，為了提高性能，亟需使作為動力部分的逆變器電路進一步實現(xiàn)小型化，由于車載逆變器每臺配備6個柵 極驅(qū)動IC，因此要實現(xiàn)逆變器電路的小型化，需要先縮小柵極驅(qū)動IC的體積。為了防止觸電，此前必須使用外置絕緣元件。 日本羅姆公司日前開發(fā)出了業(yè)內(nèi)最小的車載絕緣元件內(nèi)置型半導體裝置柵極驅(qū)動IC可滿足這一需求。
2012-05-22
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業(yè)界最??！羅姆開發(fā)出車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器
羅姆株式會社開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動元件。本產(chǎn)品融合了羅姆獨創(chuàng)的BiCDMOS技術與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術，作為內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動器，是業(yè)界最小(截至2012年5月22日,根據(jù)羅姆的調(diào)查)的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統(tǒng)的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護功能和品質(zhì)要求，可減少設計時的工作量。
2012-05-22
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ADN469xE：ADI多點LVDS收發(fā)器提供最高ESD保護
Analog Devices, Inc. (NASDAQ：ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近推出一系列多點、低電壓、差分信號(M-LVDS)收發(fā)器ADN469xE，具有所有多點LVDS收發(fā)器中最高的ESD（靜電放電）保護。 ADN469xE M-LVDS系列包含八款收發(fā)器，每款器件都能夠利用一條差分電纜對連接32個數(shù)據(jù)/時鐘節(jié)點并以100 Mbps或200 Mbps的數(shù)據(jù)速率工作。與之相比，傳統(tǒng)的LVDS通信鏈路必須使用32個單獨的點對點節(jié)點，這會顯著增加功耗、連接器尺寸、線纜成本和總電路板空間。ADI公司的ADN469xE M-LVDS系列可提供8 kV IEC ESD保護，是M-LVDS收發(fā)器競爭產(chǎn)品的11倍。這種更高層次的保護能夠提高可插拔板和卡的可靠性，適合無線基站和網(wǎng)絡基礎設施、數(shù)據(jù)采集、自動測試設備以及其他高速、高度網(wǎng)絡化背板和電纜應用。
2012-05-21
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飛兆半導體P溝道WL-CSP MOSFET實現(xiàn)出色的散熱特性
便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節(jié)省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應這一趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
2012-05-21
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。
2012-05-21
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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