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企業(yè)固態(tài)鋁電解電容產(chǎn)能增加
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，因固體鋁電解電容供不應(yīng)求，其價(jià)格將繼續(xù)上升。為了應(yīng)對(duì)不斷增加的需求，包括ApaqTechnology和TeapoElectronic在內(nèi)的供應(yīng)商已透露，計(jì)劃在2010年年底護(hù)大固態(tài)電容的產(chǎn)能。
2010-08-16
企業(yè) 固態(tài)鋁電解電容 產(chǎn)能
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本田Soltec上市CIGS型太陽(yáng)能電池模塊
本田Soltec于2010年8月6日上市了模塊轉(zhuǎn)換效率為11.6％的CIGS型太陽(yáng)能電池模塊“HEM130PCA”。該公司表示，“在目前于日本國(guó)內(nèi)銷售的CIGS型太陽(yáng)能電池模塊中，該產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換效率最高”。模塊的最大輸出功率為130W，外形尺寸為1417mm×791mm×37mm，建議零售價(jià)為6萬(wàn)2790日元。
2010-08-13
本田Soltec 太陽(yáng)能 電池
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智能手機(jī)今年出貨量將達(dá)2.51億,同比增38%
據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究預(yù)估，今年智能手機(jī)出貨量將達(dá)2.51億支，年增率達(dá)37.9%，且將連續(xù)三年維持三成以上的高增長(zhǎng)率。
2010-08-13
智能手機(jī) 拓墣 Gartner
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開關(guān)磁阻電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)及其應(yīng)用
本文介紹了開關(guān)磁阻電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的發(fā)展概況及基本構(gòu)成,并對(duì)開關(guān)磁阻電機(jī)調(diào)速原理進(jìn)行分析,最后詳細(xì)闡述了該系統(tǒng)作為一種新型調(diào)速系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)及其應(yīng)用。
2010-08-13
開關(guān)磁阻電機(jī) 調(diào)速系統(tǒng) SRD系統(tǒng) SRM
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鋰電池正極材料需求日增,中國(guó)創(chuàng)新旗下企業(yè)瞄準(zhǔn)商機(jī)
隨著市場(chǎng)近年對(duì)節(jié)能及環(huán)保的需求日益增加，鋰電池的應(yīng)用亦愈趨廣泛，鋰電池正極材料作為其核心關(guān)鍵材料，行業(yè)發(fā)展前景理想。一直瞄準(zhǔn)四新產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)的中國(guó)創(chuàng)新投資有限公司(中國(guó)創(chuàng)新)，旗下企業(yè)擬進(jìn)一步投資鋰電池正極材料，有助中國(guó)創(chuàng)新進(jìn)一步強(qiáng)化在新能源范疇的投資實(shí)力。
2010-08-12
鋰電池 正極材料 新能源
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電子制造技術(shù)創(chuàng)新成產(chǎn)業(yè)發(fā)展助推器
近年來(lái)，電子產(chǎn)業(yè)已成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性支柱產(chǎn)業(yè)，中國(guó)已經(jīng)成為當(dāng)之無(wú)愧的全球電子制造中心。
2010-08-12
電子制造 助推器
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飛兆半導(dǎo)體線性LED驅(qū)動(dòng)器為便攜背光照明應(yīng)用節(jié)省空間
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出線性LED驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品FAN5622/24/26 ，新產(chǎn)品面向空間受限并需要LCD顯示和鍵盤照明的應(yīng)用 (如手機(jī)、血糖儀以及其它便攜式應(yīng)用)，較之于其它解決方案，可以節(jié)省多達(dá)60%的線路板空間。
2010-08-12
飛兆半導(dǎo)體 線性LED 驅(qū)動(dòng)器 背光照明
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晶閘管電子開關(guān)模塊的特點(diǎn)與應(yīng)用
為了在電力系統(tǒng)運(yùn)行中進(jìn)行無(wú)功平衡，必須對(duì)各種電力負(fù)荷所需的無(wú)功功率進(jìn)行補(bǔ)償。本文通過(guò)對(duì)低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置兩種投切開關(guān)的分析與比較，可以看出晶閘管電子無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)不但具有過(guò)零投切涌流小、無(wú)過(guò)電壓等優(yōu)點(diǎn)，而且可以解決工作時(shí)的散熱問(wèn)題。
2010-08-12
晶閘管 電子開關(guān) 接觸器
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采用IGBT優(yōu)化軟開關(guān)應(yīng)用中的損耗
IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終止”概念降低晶圓n襯底的厚度。本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。
2010-08-11
IGBT 軟開關(guān) FWD 逆導(dǎo)型IGBT
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