【導(dǎo)讀】2015年3月17日，安森美半導(dǎo)體宣布，與功率轉(zhuǎn)換器專家Transphorm建立雙方合作關(guān)系，為使基于氮化鎵(GaN)電源方案進(jìn)入市場，聯(lián)名推出NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共柵(cascade)晶體管和使用這些器件的240 W參考設(shè)計(jì)。
兩款新品NTP8G202N和NTP8G206N，導(dǎo)通阻抗典型值為150 mΩ和290 mΩ，采用優(yōu)化的TO-220封裝，易于根據(jù)客戶現(xiàn)有的制板能力而集成。兩款600 V產(chǎn)品均已使用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證并在量產(chǎn)。
NCP1397GANGEVB (TDPS250E2D2)評估板為客戶提供完整的參考設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)和評估他們的電源設(shè)計(jì)中的GaN共源共柵晶體管。該評估板為客戶提供比使用傳統(tǒng)器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數(shù)校正控制器。LLC DC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200+ 千赫茲(kHz)運(yùn)行時(shí)實(shí)現(xiàn)，而且顯然也能滿足EN55022的B類電磁兼容(EMC)性能。完整的文檔請從安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站獲取。
安森美半導(dǎo)體電源分立分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“GaN晶體管為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來了性能飛躍。隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優(yōu)勢，基于GaN的產(chǎn)品需求將快速增長。安森美半導(dǎo)體和Transphorm正工作于新的發(fā)展前沿，并加速市場的廣泛采納。”
蒞臨安森美半導(dǎo)體在2015 APEC的 407展臺(tái)(Transphorm – 1317展臺(tái))觀看關(guān)于GaN器件以及新的電流模式LLC電源和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的演示。
