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電子電信：新興產(chǎn)業(yè)成長空間更廣闊
2009年12月以來，受益于出口預(yù)期的好轉(zhuǎn)和國家產(chǎn)業(yè)政策的扶持，信息設(shè)備、信息服務(wù)、電子元器件行業(yè)的表現(xiàn)明顯強于大市。我們認為，這一方面體現(xiàn)出市場對新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度關(guān)注，另一面也是當前市場風(fēng)格轉(zhuǎn)換的內(nèi)在體現(xiàn)。隨著2010年相關(guān)政策的推進，電子電信行業(yè)有望長期保持強于A股的走勢。
2010-01-21
電子電信 新興產(chǎn)業(yè) 成長空間 廣闊
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2009年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入同比降11.4%
根據(jù)市場調(diào)研公司Gartner的估計，2009年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入為2.26億美元，同比下滑11.4%，這將是該行業(yè)25年來經(jīng)歷的第六次收入下滑。 Gartner分析稱，個人電腦市場是最先反彈的市場，隨后是手機、汽車等市場開始反彈。
2010-01-21
全球 半導(dǎo)體行業(yè) 收入 下降
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新系列MEMS加速計突破尺寸和功耗極限
意法半導(dǎo)體在加速計設(shè)計方面取得了最新進步，將傳感器尺寸縮小到2 x 2mm，100Hz采樣率時的功耗降到10微安以下，這數(shù)值已經(jīng)比目前其他產(chǎn)品器件低一個量級，，功耗還能再降到幾微安，以配合更低的數(shù)據(jù)速率。由于這一重大成果，空間和功耗受限的便攜設(shè)備得以加快采用動作控制型技術(shù)應(yīng)用，性能和功能不...
2010-01-21
MEMS 加速計 尺寸 功耗極限
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Toshiba推出低導(dǎo)通電阻快速開關(guān)30V MOSFET
Toshiba美國電子元器件公司（TAEC）推出6器件采用TSON先進封裝的30V MOSFET系列。這些新器件用于同步DC-DC轉(zhuǎn)換器中，如移動和臺式電腦，服務(wù)器，游戲機和其它電子器件中，移動和臺式電腦，服務(wù)器，游戲機和其它電子器件。
2010-01-21
Toshiba 電阻 MOSFET TSON封裝
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TI推出降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
2010-01-21
TI MOSFET DualCool NexFET 器件
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2010年成為“3D元年” 擺脫電視機單價競爭的良機
3D顯示器市場的供貨量和供貨金額預(yù)計將從2008年的70萬臺、9億200萬美元增長至2018年的1億9600萬臺、220億美元。如果市場果真按照該預(yù)測增長的話，年均復(fù)合增長率（CAGR）按金額計算將達到38％，按數(shù)量計算將達到75％。
2010-01-21
3D元年 電視機 顯示器
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富士CHIMERA：2014年多晶硅太陽能電池市場規(guī)模將超過1萬億日元
富士CHIMERA綜研調(diào)查了將來有發(fā)展前途的110種電子部件和材料在2014年之前的市場規(guī)模走勢，并匯編了“2010有發(fā)展前途的電子部件材料調(diào)查總覽”。其中，2009年的市場規(guī)模超過1000億日元、其規(guī)模在2014年將達到2009年2倍以上的產(chǎn)品包括，多晶硅太陽能電池、薄膜硅太陽能電池以及太陽能電池用功率調(diào)節(jié)器3...
2010-01-21
富士 CHIMERA綜研 多晶硅 太陽能 電池
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銀行監(jiān)管推動網(wǎng)上交易誠信建設(shè)
2010年1月20日，記者在華強電子網(wǎng)在線交易支付平臺啟動儀式了解到，誠信電子商務(wù)在線交易支付倍受銀行、商家、消費者的追捧……
2010-01-20
在線交易 規(guī)范行業(yè)
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2010中國電子元器件行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展年會在深召開
電子元器件企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略的基本內(nèi)涵是培育核心競爭力，而主導(dǎo)產(chǎn)品是競爭力的精髓，創(chuàng)新則是競爭力的靈魂。在新的一年企業(yè)應(yīng)該抓住當前我國擴大內(nèi)需的有利時機，緊跟發(fā)展低碳經(jīng)濟的潮流……
2010-01-20
電子元器件 創(chuàng)新
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