
Vishay新增側(cè)邊圖形SDWP基板 為提高定制薄膜基板設(shè)計靈活性與密度
發(fā)布時間:2015-03-10 責任編輯:susan
【導讀】2015 年 3 月10 日,Vishay Intertechnology Inc.宣布,為其定制薄膜基板新增SDWP基板,這是一種側(cè)邊圖形,能使得Vishay用小的線路寬度和間隔尺寸,在基板的最多4個表面上制造出導電圖形,可在國防、航天、醫(yī)療和電信設(shè)備里提高設(shè)計靈活性和密度,以實現(xiàn)小型化。
不像采用鍍層或填孔的傳統(tǒng)方法,Vishay Dale Resistors Electro-Films產(chǎn)品線使用能在側(cè)邊和上表面進行芯片粘結(jié)或引線鍵合的SDWP基板。與引線鍵合相比,側(cè)邊圖形連接的電感更低,因此在高頻下工作得更好,使得這些器件非常適合機電或光電應用里的定制電路,射頻應用中的高頻電路,以及高比特率收發(fā)器(TOSA/ROSA)。薄膜器件適合芯片粘結(jié)或引線鍵合,線路寬度和間隔小于0.003英寸,公差低至±0.001英寸。
使用這種基板,設(shè)計者可以在芯片的上表面和下表面之間實現(xiàn)連續(xù)的導電圖形,把引線鍵合連到芯片側(cè)邊的印制線上,或用pin腳與芯片的側(cè)邊實現(xiàn)接觸。SDWP還能讓設(shè)計者把芯片安裝在基板上,在直立組裝中定位基板的位置,且引線鍵合放到變成基板“上表面”的地方,這樣就能與產(chǎn)品里的光纖、棱鏡和透鏡等光學元件實現(xiàn)更好的集成。
SDWP基板的鍍層厚度小于0.025英寸,最小線寬和間隔小于0.003英寸,線寬和間隔公差低至±0.001英寸。與厚膜方案相比,薄膜器件的導線寬度和間隔尺寸小2到3倍,并且尺寸公差更嚴。基板使用了多種金屬材料,包括TiW/Au/Au鍍層、TiW/Au/Ni鍍層/Au鍍層,以及Cr/Cu/Cu鍍層/Ni鍍層/Au鍍層。

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