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AI&IoT

SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28

SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET

MAX3622：Maxim網(wǎng)絡(luò)設(shè)備用超低抖動(dòng)兩路輸出時(shí)鐘發(fā)生器

Maxim推出超低抖動(dòng)、兩路輸出時(shí)鐘發(fā)生器MAX3622。器件采用低噪聲VCO和專(zhuān)有的PLL架構(gòu)，從一個(gè)25MHz晶體諧振器產(chǎn)生2路0.14psRMS (典型值)的超低抖動(dòng)時(shí)鐘輸出。

2008-05-27

MAX3622 時(shí)鐘發(fā)生器

VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列

日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列，旨在保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號(hào)線不受瞬態(tài)電壓信號(hào)干擾。

2008-05-23

VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列

STC03DE220HV：意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開(kāi)關(guān)

意法半導(dǎo)體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管）功率開(kāi)關(guān)，新產(chǎn)品使設(shè)計(jì)工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助開(kāi)關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管

STC03DE220HV：意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開(kāi)關(guān)

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開(kāi)關(guān)

Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達(dá)670MHz的高頻信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)

TJ3-HT：Vishay新型環(huán)形高溫電感器

Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。

2008-05-16

TJ3-HT 高溫電感器

BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列

Vishay宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。

2008-05-16

BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器

MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開(kāi)關(guān)

Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開(kāi)關(guān)MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個(gè)連接器實(shí)現(xiàn)高性能的切換。

2008-05-15

MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開(kāi)關(guān)