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2010后照明市場(chǎng)六大產(chǎn)品將獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷
低碳概念的深入令無(wú)極燈、LED大功率戶外照明、T5和節(jié)能燈成為節(jié)能減排經(jīng)濟(jì)下的四大照明寵兒，科技的快速發(fā)展讓智能化成為電工領(lǐng)域的關(guān)鍵詞。而隨著70后、80后漸漸成為消費(fèi)主力，時(shí)尚、簡(jiǎn)約風(fēng)格的水晶燈也將大行其道。這些產(chǎn)品目前的技術(shù)、現(xiàn)狀如何？2010年又將朝著哪些方向發(fā)展？
2010-03-10
照明 LED 節(jié)能 T5 無(wú)極燈 汞
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恩智浦華麗轉(zhuǎn)型，搶占高性能混合信號(hào)芯片市場(chǎng)
隨著臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體廠商在低成本手機(jī)、數(shù)字電視等領(lǐng)域的SoC方案不斷占領(lǐng)市場(chǎng)份額，SoC在這些領(lǐng)域的利潤(rùn)也在不斷被拉低，不少歐美大廠逐漸放棄了這些領(lǐng)域的數(shù)字芯片業(yè)務(wù)，而轉(zhuǎn)而強(qiáng)調(diào)對(duì)設(shè)計(jì)和工藝要求更高、利潤(rùn)也更高的模擬和混合信號(hào)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
2010-03-10
混合信號(hào) 恩智浦 模擬
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聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)將劇增
In-Stat預(yù)計(jì)，2010年，在所有售出的數(shù)字電視中，大約40%將具備聯(lián)網(wǎng)功能。到2013年，全球使用中的這類(lèi)聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子設(shè)備將達(dá)5億臺(tái)。在2008年至2013年間，此類(lèi)產(chǎn)品的銷(xiāo)售額年均復(fù)合增長(zhǎng)率接近64%。
2010-03-10
聯(lián)網(wǎng) 消費(fèi)電子 市場(chǎng) 劇增
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開(kāi)關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
恩智浦 VCEsat 晶體管
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iP2010/2011：IR率先推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
iP2010 iP2011 氮化鎵
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任天堂超過(guò)三星 成為消費(fèi)產(chǎn)品和手機(jī)MEMS的最大買(mǎi)家
據(jù)iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韓國(guó)的三星，成為用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和手機(jī)的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的全球最大買(mǎi)家。
2010-03-10
任天堂 三星 MEMS
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2010中國(guó)IT領(lǐng)袖峰會(huì)將于3月底在深圳隆重舉行
記者是從近日召開(kāi)的2010中國(guó)（深圳）IT領(lǐng)袖峰會(huì)新聞發(fā)布會(huì)上獲悉這一消息的。深圳市委常委、常務(wù)副市長(zhǎng)許勤，數(shù)字中國(guó)聯(lián)合會(huì)主席吳鷹等出席了新聞發(fā)布會(huì)并回答了記者的提問(wèn)
2010-03-09
2010 中國(guó)IT 領(lǐng)袖峰會(huì) 中國(guó)經(jīng)濟(jì)
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136D：Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器
近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
2010-03-09
136D Vishay 鉭 電容器
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MMBD5004BRM：Diode推出四開(kāi)關(guān)二極管陣列
Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開(kāi)關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負(fù)極電話線接口和一般離線整流應(yīng)用中最壞的線瞬變情況。
2010-03-09
MMBD5004BRM Diode 二極管 開(kāi)關(guān) DAA調(diào)制解調(diào)器
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