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腐蝕傳感器技術(shù)革新 創(chuàng)新產(chǎn)品市場(chǎng)適應(yīng)力更強(qiáng)
如今各行各業(yè)中傳感器應(yīng)用已經(jīng)越來(lái)越多，各種技術(shù)問(wèn)題也提上日程，腐蝕傳感器由于壽命問(wèn)題一直是行業(yè)發(fā)展的阻礙，此次英國(guó)研發(fā)抗腐蝕傳感器的技術(shù)革新成功，正彌補(bǔ)了腐蝕傳感器壽命短的問(wèn)題，這一創(chuàng)新產(chǎn)品將擁有更強(qiáng)的市場(chǎng)適應(yīng)能力，引領(lǐng)未來(lái)市場(chǎng)導(dǎo)向。
2012-02-14
腐蝕 傳感器
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電路設(shè)計(jì)中的抗干擾措施
單片機(jī)測(cè)控系統(tǒng)的電路較復(fù)雜，產(chǎn)生干擾的原因很多。下面幾種常用的抗干擾措施。
2012-02-14
電路設(shè)計(jì) 抗干擾 電源 大功率器件
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電路設(shè)計(jì)中三極管和mos管的區(qū)別
我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別 工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問(wèn)題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問(wèn)題：三極管損耗大。
2012-02-14
電路設(shè)計(jì) 三極管 mos管 雙極晶體管
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PCB焊接工藝使用氮?dú)獾睦碛?/span>
焊接的一個(gè)行進(jìn)中的問(wèn)題是在回流焊接爐中使用氮?dú)獾暮锰帯Ｔ谶@個(gè)主題上我遇到的問(wèn)題至少每周一次。這個(gè)問(wèn)題不是什么新問(wèn)題。十年前，所訂購(gòu)的回流焊接爐至少一半規(guī)定有氮?dú)馊萜?。最近與回流焊接爐制造商的交談告訴我，這個(gè)比例保持還是一樣的，盡管使用氮?dú)獾年P(guān)鍵理由現(xiàn)在再不是什么站得住腳的理由...
2012-02-14
PCB 焊接工藝 氮?dú)?nbsp; 氟里昂
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第五講：專家解答電路保護(hù)設(shè)計(jì)的常見(jiàn)問(wèn)題
本文整理工程師在電路保護(hù)設(shè)計(jì)中經(jīng)常遇到的一些問(wèn)題，精選出關(guān)于保險(xiǎn)絲、防雷器件和ESD保護(hù)器件的選型及應(yīng)用的問(wèn)題，由資深電路保護(hù)設(shè)計(jì)專家給予專業(yè)權(quán)威的解答，旨在幫助工程師正確選擇和使用電路保護(hù)器件，設(shè)計(jì)高可靠性的電路保護(hù)解決方案。
2012-02-13
電路保護(hù) 保險(xiǎn)絲 熔斷器 防雷 ESD
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HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級(jí)8英寸0.18μm Trench工藝
2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級(jí)已經(jīng)過(guò)一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機(jī)效率，同時(shí)獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國(guó)內(nèi)一線分...
2012-02-13
HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET
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晶閘管在高壓軟起動(dòng)中的選型及應(yīng)用
晶閘管電機(jī)軟起動(dòng)器的出現(xiàn)，彌補(bǔ)了傳統(tǒng)軟起動(dòng)器的各種不足，很好地降低了電機(jī)的起動(dòng)電流，降低了配電容量，延長(zhǎng)了電機(jī)及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動(dòng)參數(shù)可視負(fù)載調(diào)整，易于維護(hù)。本文介紹晶閘管電機(jī)軟起動(dòng)器工作原理，晶閘管的選型及晶閘管的保護(hù)設(shè)計(jì)。
2012-02-13
晶閘管 電機(jī) 軟起動(dòng) 過(guò)壓 過(guò)流
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線性穩(wěn)壓器的短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)
一個(gè)高可靠性的線性穩(wěn)壓器通常需要有限流保護(hù)電路，以防止因負(fù)載短路或者過(guò)載對(duì)穩(wěn)壓器造成永久性的損壞。在限流型保護(hù)電路的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)改進(jìn)了一個(gè)短路保護(hù)電路，確保短路情況下，關(guān)斷功率MOS管。本文分別定性和定量地分析了這種短路保護(hù)電路的工作過(guò)程和原理，同時(shí)給出基于TSMCO．18μm CMOS工藝的...
2012-02-13
線性穩(wěn)壓器 限流保護(hù)電路 短路保護(hù) 短路保護(hù)電路
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集成電路對(duì)EMI控制的影響
在考慮EMI控制時(shí)，設(shè)計(jì)工程師及PCB板級(jí)設(shè)計(jì)工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI、刀1)等都對(duì)電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對(duì)EMI控制的影響。
2012-02-13
集成電路 IC EMI 電磁干擾
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