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能源電力

使用和設(shè)計(jì)IGBT新方法

目前，在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。

2013-01-12

IGBT 設(shè)計(jì) 保護(hù)

二極管如何快速正確的選型

本文將探討一些在選擇正確的二極管時(shí)應(yīng)仔細(xì)考慮的典型參數(shù)，以及如何應(yīng)用這些參數(shù)來快速確定選型的正確與否。

2013-01-12

二極管轉(zhuǎn)換器肖特基管

使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器為變?nèi)荻O管提供偏置電壓的好處

變?nèi)荻O管在反向偏置電壓下運(yùn)行，會(huì)在PN結(jié)附近形成耗盡區(qū)，變反向偏置的水平，就能改變耗盡區(qū)的厚度，從而影響二極管的有效電容。

2013-01-12

數(shù)模轉(zhuǎn)換器變?nèi)荻O管偏置電壓

如何選型壓敏電阻

壓敏電阻屬于關(guān)鍵器件，如何正確的選擇壓敏電阻，要從哪些方面去考慮？對(duì)信號(hào)傳輸線路，進(jìn)行ESD防護(hù)。

2013-01-11

選型壓敏電阻 ESD

用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源

用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源與工頻市電非隔離式穩(wěn)壓電源，盡管在電路上可能帶有危險(xiǎn)的電壓，但由于體積小、線路簡(jiǎn)單。成本低，故在很多領(lǐng)域已得到較廣泛的應(yīng)用。

2013-01-10

工頻市電無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源

如何避免可控硅在其使用中出現(xiàn)過載等問題

目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。

2013-01-10

可控硅過載

詳解TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路中保護(hù)元件的區(qū)別

對(duì)于大型的控制電路，比如LED燈塔的電源控制線路，其保護(hù)以及維修都是一個(gè)比較復(fù)雜的工程。使用TBU方案，是否可以使過壓過流電路保護(hù)解決方案設(shè)計(jì)更輕松呢？本文從傳統(tǒng)的保護(hù)元器件入手，對(duì)比傳統(tǒng)過流過壓保護(hù)元器件和TBU方案的工作方式，深度解析TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路保護(hù)元件的區(qū)別及其應(yīng)用限制...

2013-01-10

TBU 保護(hù)元件 TPS

ESD的保護(hù)方法

ESD保護(hù)元件的對(duì)比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2 kV等級(jí)的ESD保護(hù)所需要的面積。

2013-01-10

ESD 保護(hù) TLP